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“中间栅氧”的晶体管用在器件核心外围非关键性能的电路（像设置存储器）或不需要对变化的栅压进行快速开关响应的电路（像传输门）中。薄栅氧、漏电的晶体管只保留在需要快速开关速度的路径部分。

结果，总的器件漏电被大大减小，同时性能仍能比上一代FPGA有很大提高。三栅极氧化层工艺使Virtex-4器件比竞争性90纳米FPGA在静态功耗上平均减少了超过70%。这一结果成功，因此Virtex-5系列产品中大量使用了这一技术，在65纳米工艺结点上降低漏电。

虽然业界预测65 纳米器件的静态功耗将会有大幅度提高，但是图1显示了三栅极氧化层工艺使65 纳米 Virtex 器件在
最坏（温度最高）工作条件下达到了与尺寸相当的90纳米Virtex-4器件相同水平的静态功耗。因此，Virtex-5系列产品和竞争性高性能FPGA产品相比，在静态功耗方面具有真正的优势。

1756-EWEB   ABB YB560103-AS DSQC 208A External axis board 
ABB YB560103-AL DSQC 209 Analogue I/O board 
ABB YB560103-AM DSQC 210 Safety board 
ABB YB560103-AN DSQC 211 Power supply 
ABB YB560103-BF DSQC 215 Robot computer 
ABB YB560103-AZ DSQC 220 Programming board 
ABB YB560103-BD DSQC 223 PC Board digital I/O 
ABB YB560103-BE DSQC 224 PC Board combi I/O 
ABB YB560103-BK DSQC 227 Winchester interface 
ABB YB560103-BD DSQC 228 Safety board 
ABB YB560103-BN DSQC 230 Robot computer 
ABB YB560103-BS DSQC 233 External axis board 
ABB YB560103-BY DSQC 235A Rectifier 
ABB YB560103-BZ DSQC 235B Rectifier 
1747-L553
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1746-IB8
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1746-OB32
1746-OB32E
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1746-OBP16